AI 大模型、生成式 AI、高性能计算（HPC）的爆发，推动芯片从 “单核” 向 “多核堆叠、Chiplet 异构集成、HBM 高带宽内存” 演进，芯片功耗从数百瓦突破千瓦级，对散热、互连密度、信号完整性、封装可靠性提出前所未有的挑战。传统有机基板（如 FR-4、ABF）因导热差、热膨胀不匹配、高温易变形，已无法满足 AI 芯片封装需求，多层陶瓷板成为高端先进封装的 “刚需” 材料。
AI 芯片封装核心痛点是高功耗散热与大尺寸翘曲。以英伟达 H100/H200、AMD MI300X 为代表的 AI 芯片，功耗达 700～1000W，热流密度超 300W/cm²，需基板具备超高导热（≥180W/m・K）与低热阻，快速将热量导出至散热器。多层陶瓷板（氮化铝材质）导热是有机基板的数百倍，热膨胀系数（4～5ppm/℃）与硅芯片（2.6ppm/℃）高度匹配，可显著降低热应力，抑制大尺寸封装翘曲，提升良率与长期可靠性。
在互连密度方面，AI 芯片需在有限面积内实现数万至数十万 I/O 互连，要求基板具备高密度布线、微细通孔、高精度层间对齐能力。京瓷最新高刚性多层陶瓷芯基板，采用专有精细陶瓷材料，支持 75μm 孔径、200μm 孔距的微细通孔，可实现高密度三维互连，为 HBM 与 Chiplet 提供稳定可靠的支撑。同时，多层陶瓷板可内嵌电源层、地层、屏蔽层，优化电源分配与信号完整性，减少噪声干扰，提升高速信号传输质量。
市场前景广阔：全球 AI 芯片封装市场规模预计 2030 年超 500 亿美元，其中多层陶瓷板占比将达 15%～20%，成为增长最快的细分领域之一。国内企业正加速布局，从材料、工艺到封装方案全面突破，力争在 AI 先进封装浪潮中抢占先机。
未来趋势：多层陶瓷板将向更高导热、更薄型化、更高互连密度、更低成本方向发展，同时与 2.5D/3D 封装、嵌入式无源、散热结构一体化等技术深度融合，为下一代 AI 芯片提供全方位支撑
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